淬火爐的方案設(shè)計(jì)及分析

　　快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過程中的要害配備。主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、成長高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。跟著集成電路工藝技能的飛速發(fā)展，展開快速退火爐體系的技能研討，對國內(nèi)開發(fā)和研討具有自主知識產(chǎn)權(quán)的快速退火爐配備，有著十分重要的理論含義和工程應(yīng)用價(jià)值。

　　公司針對現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對快速退火爐體系的技能要求，在綜合剖析國內(nèi)外各種快速退火滬體系技能基礎(chǔ)上，經(jīng)過深入的剖析研討，規(guī)劃了體系整體技能計(jì)劃。擬定選用燈光輻射型熱源設(shè)備，上下兩排成正交的燈管組對位于其中間的半導(dǎo)體硅片進(jìn)行直接加熱完結(jié)溫度的快速上升，以單點(diǎn)測溫作為溫度丈量的解決計(jì)劃作為體系整體計(jì)劃.根據(jù)熱傳導(dǎo)基本理論，以完結(jié)體系整體技能指標(biāo)作為己知參數(shù)計(jì)算得到體系所需求的熱功率，在此基礎(chǔ)上完結(jié)熱源與反應(yīng)腔體、冷卻體系、送氣體系等部件的規(guī)劃。經(jīng)過剖析影響硅片表面溫度邊緣效應(yīng)的要素，提出燈管分區(qū)及分區(qū)操控的規(guī)劃計(jì)劃，完結(jié)硅片表面溫度的均勻性;經(jīng)過非接觸式溫度丈量原理的剖析，完結(jié)光學(xué)高溫計(jì)選型、測溫計(jì)劃以及溫度校準(zhǔn)規(guī)劃，完結(jié)溫度的精確丈量，根據(jù)體系模型的溫度操控器規(guī)劃確保了溫度操控的精度與安穩(wěn)度;在剖析硅片傳送功能性要求的基礎(chǔ)上，完結(jié)傳送體系流程規(guī)劃，完結(jié)了體系傳片效率與傳片的高可靠性;操控體系功能性規(guī)劃、整體架構(gòu)以及主操控程序流程圖規(guī)劃完結(jié)整機(jī)的全自動化，確保體系具有自動化水平高、操控和辦理功能強(qiáng)大、操作簡潔、可靠性高等特點(diǎn)，能很好地適應(yīng)快速退火爐體系對自動操控的要求。

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